SK하이닉스, 미국에서 HBM4E 양산 — “메모리 부족 2030년까지”
SK하이닉스가 현지시간 8월 27일 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 40억 달러 이상 규모 HBM 첨단 패키징 공장 착공식을 열었습니다. 공식 계획상 cleanroom은 2028년 가동 준비에 들어가고, 2029년 하반기부터 미국 내 차세대 HBM 양산을 시작합니다. Purdue University와 차세대 packaging R&D도 공동 추진합니다.
보도에서는 제품을 구체적으로 HBM4E로 지목했고, 곽노정 CEO는 글로벌 메모리 공급 부족이 2030년까지 이어질 것으로 전망했습니다. SK하이닉스의 현재 HBM 시장 매출 점유율은 약 **58%**로 추산됩니다.
여기서 기술적으로 중요한 부분은 이 공장이 전통적인 DRAM wafer fab보다는 advanced packaging 중심이라는 점입니다. 한국에서 제조한 wafer를 미국으로 가져가 적층·패키징·테스트하는 구조가 예정돼 있습니다. HBM에서는 DRAM cell 자체뿐 아니라
TSV → wafer thinning → die stacking → bonding → base die → thermal → package test
가 실제 yield와 bandwidth를 좌우합니다.
미국 정부도 CHIPS Act를 통해 최대 $458M 직접지원 + $500M 대출을 제공합니다. 결국 미국이 원하는 건 GPU만 미국에서 확보하는 게 아니라 AI accelerator의 핵심 memory/package supply chain 자체를 미국 안에 끌어오는 것입니다.
반도체 설계 쪽에서도 HBM을 “DRAM 회사 영역”이라고 볼 필요가 없습니다. HBM PHY, signal/power integrity, package co-design, thermal, high-speed I/O는 회로·시스템 엔지니어가 직접 들어가는 영역입니다.